ساخت آسان دستگاههاي نانوالكترونيك
پژوهشگران روش جديدي توسعه دادهاند كه با آن ميتوان ابزارهاي مهم را با مقياس اتمي و با فناوري مناسب ساخت. جرمي لوي و همكارانش در دانشگاه پيترزبورگ، با استفاده از قطعات كوچكي با ابعاد 2 نانومتر، يک ترانزيستور ساختهاند. اين ابعاد بطور قابل ملاحظهاي از پيشرفتهترين ترانزيستور سيليكوني كه تا به حال ساخته شده و اندازهي آن 45 نانومتر است، كوچكتر هستند. علاوه بر آن، ميتوان اطلاعات آن را پاك كرد، يا به طور دلخواه تصحيح و تغيير داد. اين موضوع براي كاربردهاي نانوالكترونيك حائز اهميت است.
امکان ساخت افزارههایی با ابعاد 2 نانومتر.
وي ميگويد: امروزه بيشتر ترانزيستورها از سيليكون و به روش ليتوگرافي ساخته ميشوند ولي ساخت آنها در ابعاد كوچكتر از 20 نانومتر مشكل است. در مقابل، روش جديد امكان توليد اجزايي با اندازه 2 نانومتر را فراهم مينمايد؛ يعني ابعاد آنها 10 مرتبه و سطح آنها نيز تا 100 مرتبه كوچكتر از ريزترين ابزارهاي سيليكوني است.
به گفته لوي اين روش از يك پروب ميكروسكوپ نيروي اتمي براي ترسيم خطوط رسانا يا سيمهايي با قطر تنها چند نانومتر در حد واسط دو بلور تيتانات استرونتيوم و آلومينات لانتانيوم كه هر دو نارسانا هستند، استفاده مينمايد. سپس ميتوان اين سيمها را با اعمال ولتاژ معكوس يا توسط نور پاك نموده و دوباره ساختار را نارسانا نمود. اين خاصيت طبيعت بازگشتپذير اين فرآيند است که امكان استفاده از آن را در كاربردهاي مانند افزارههاي حافظه فراهم مينمايد.
هماكنون، گروه دانشگاه پيترزبورگ، فناوري خود را يك پله ارتقاء داده و تونلهاي ارتباطي و ترانزيستورهاي اثر ميداني ريز را به همان خوبي نانوسيمهاي رسانايِ روي زيرلايه عايق، ساختهاند. بسياري از اين ابزارها را ميتوان به علت ابعاد كوچكشان كه تنها 2 نانومتر است در يك مساحت کوچک فشرده کرد.
اين محققان نتايج خود را در مجله Science منتشر کردهاند